| 专利名称 | 一种碳基薄膜内不同碳纳米结构的调控设计方法 | 申请号 | CN201711360853.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108220909A | 公开（授权）日 | 2018.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 张俊彦;王永富;高凯雄;王彦 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种碳基薄膜内不同碳纳米结构的调控设计方法 至一种碳基薄膜内不同碳纳米结构的调控设计方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碳基薄膜内不同碳纳米结构的调控设计方法。本发明采用PECVD技术在钢基表面上原位渗氮促进膜基结合力，同时调控参数实现类富勒烯碳、类石墨碳、洋葱碳等纳米结构之间相互转变，并通过引入其它元素气体掺入氮、氢、氟、硫、硅等元素，以提高薄膜与钢基结合力、硬度、表面光滑及超滑性能。 |
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