| 专利名称 | 一种复合式磁控溅射阴极 | 申请号 | CN201711432650.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108149209A | 公开（授权）日 | 2018.06.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 邱清泉;汪天龙;屈飞;靖立伟;张国民;肖立业 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;H01J37/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种复合式磁控溅射阴极 至一种复合式磁控溅射阴极 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种复合式磁控溅射阴极，由平面靶材(1)、水冷背板(2)、外永磁体(3、4)、内永磁体(5)、内电磁线圈(6、7)、外电磁线圈(8、9)、外磁轭(10、11)、内磁轭(12)、中磁轭(13、14)、底磁轭(15)和框架(16)构成。两个内电磁线圈(6、7)构成一个闭合线圈，两个外电磁线圈(8、9)构成一个闭合线圈。内电磁线圈和外电磁线圈通过引线分别连接到外供电电源。通过调节内电磁线圈和外电磁线圈中电流的大小和方向，实现磁控溅射阴极表面磁场强度和分布的变化，从而调节溅射速率、磁场非平衡度和增加靶材利用率。 |
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