| 专利名称 | 多层膜中非易失性斯格明子的生成方法 | 申请号 | CN201611094721.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108154990A | 公开（授权）日 | 2018.06.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张颖;何敏;李刚;蔡建旺;谷林;沈保根 | 主分类号 | H01F10/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F10/32(2006.01)I;H01F41/32(2006.01)I | 专利有效期 | 多层膜中非易失性斯格明子的生成方法 至多层膜中非易失性斯格明子的生成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种多层膜中非易失性斯格明子的生成方法，所述多层膜包括依次堆叠的第一重金属层、铁磁层和第二重金属层，所述第一重金属层和第二重金属层为两种不同的金属膜，所述第一重金属层和第二重金属层在与所述铁磁层的界面处诱导产生DM相互作用，所述生成方法包括如下步骤：1)：对所述多层膜施加预定的磁场，其中所述磁场的强度不足以使得所述多层膜中的条状磁畴转变为斯格明子，且所述磁场的方向不平行所述多层膜的膜面；2)：对所述多层膜施加预定的电流，使所述条状磁畴转变为斯格明子。本发明的生成方法形成了在室温、零场下稳定存在的高密度斯格明子。 |
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