| 专利名称 | 集成光电器件及其制作方法 | 申请号 | CN201610983961.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108063363A | 公开（授权）日 | 2018.05.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 钱波;黄思敏;丰雪;王文浩;李令英;林光慧;李鹏;张小飞;钟正根;周岩;谢永林 | 主分类号 | H01S5/042(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/042(2006.01)I;H01S5/347(2006.01)I;H01S5/026(2006.01)I | 专利有效期 | 集成光电器件及其制作方法 至集成光电器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种集成光电器件的制作方法，其包括：在衬底上形成波导及位于波导一侧的导电金属层；形成覆盖衬底、波导以及导电金属层的绝缘层；在绝缘层中形成暴露出导电金属层的凹槽；在凹槽中形成与导电金属层接触的导电高分子材料层，以形成下电极；在绝缘层上形成封闭凹槽的开口且与下电极接触的量子点微腔；在量子点微腔上形成上电极。本发明还提供了一种利用该制作方法制作的集成光电器件。本发明通过墨滴喷射技术同时实现胶体量子点的引入和光学微腔的构筑，并通过MEMS实现高品质的硅波导的制作，实现集成光电器件的制作。 |
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