| 专利名称 | 一种变台阶衍射元件及其制备方法 | 申请号 | CN201711128450.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107976732A | 公开（授权）日 | 2018.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 王若秋;国成立;张志宇;薛栋林;张学军 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01)I;G02B27/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种变台阶衍射元件及其制备方法 至一种变台阶衍射元件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种变台阶衍射元件及其制备方法，所述制备方法根据不同区域的环带宽度尺寸，规划其台阶数目，从而解决加工设备加工能力极限与衍射元件衍射效率之间的矛盾。对于衍射元件的中心区域，相较于外围区域设计更高台阶数目，由于台阶数目的增加，提高了该区域的衍射效率，从而提高整个衍射元件的衍射效率。同时，利用激光直写机分批次对衍射元件的不同级的台阶区域进行曝光，以及利用离子束刻蚀设备对基片进行离子束刻蚀加工，从而在不损失加工精度的前提下，实现具有更高衍射效率的衍射元件的设计及制作。 |
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