| 专利名称 | 一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法 | 申请号 | CN201610916238.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107961806A | 公开（授权）日 | 2018.04.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨明辉;李悦;熊锋强;万里鹏;焦雨桐 | 主分类号 | B01J27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J27/24(2006.01)I;B01J37/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法 至一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 采用惰性气氛退火处理钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体SrNbO2N，显著提高其光催化活性。本方法中，惰性气氛退火使得SrNbO2N很低的半导体施主浓度得到一定程度上提高，促进光生电子和空穴的分离，从而提高光催化效率，光催化产氧活性可提高10倍。 |
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