一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法

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专利名称 一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法 申请号 CN201711101757.X 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN107910400A 公开(授权)日 2018.04.13 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 欧欣;尤立星;贾棋;张伟君 主分类号 H01L31/09(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/09(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G01J11/00(2006.01)I 专利有效期 一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法 至一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供一衬底;于所述衬底表面形成具有应力的超导纳米线;基于所述具有应力的超导纳米线制备超导纳米线单光子探测器。基于上述技术方案,本发明提供的超导纳米线单光子探测器保证器件材料层薄膜具有一定厚度的同时,可以降低器件材料的临界温度,并保证了器件材料的均一性及较小的转换温度宽度,提高器件的探测效率。

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