专利名称 | 低能量背散射电子探测器 | 申请号 | CN201710935508.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN107917924A | 公开(授权)日 | 2018.04.17 | 申请(专利权)人 | 中国科学院自动化研究所 | 发明(设计)人 | 李国庆;韩华;马宏图;陈曦 | 主分类号 | G01N23/203(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N23/203(2006.01)I | 专利有效期 | 低能量背散射电子探测器 至低能量背散射电子探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低能量背散射电子探测器,该探测器包括半导体探测基底和设置在所述基底表面的覆膜,所述覆膜的材料为:铍、碳或石墨烯,或者这三种材料的任意组合。所述覆膜的厚度≤10nm。所述低能量背散射电子探测器包括第一内圈部分和第二外圈部分,所述第一内圈部分为环形,所述第二外圈部分包括绕所述第一内圈部分均匀地周向设置的多个子部分,操作时对各个部分探测的信号进行加和处理可得到样品的成分信息,作差处理可得到样品在连接各部分探测器方向上的形貌信息;多个部分可以独立工作或协同工作,可以分别得到样品的成分像或形貌像。本发明不但具有较强的电子穿透能力,且具有较好的探测效率。 |
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