| 专利名称 | 一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法 | 申请号 | CN201710950103.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107907812A | 公开（授权）日 | 2018.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 廖清君;刘丹;钟艳红;林春;胡晓宁 | 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2014.01)I;G01R31/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法 至一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。 |
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