| 专利名称 | 一种有序贵金属纳米颗粒阵列的颗粒间距控制方法 | 申请号 | CN201710928244.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107840306A | 公开（授权）日 | 2018.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院广州能源研究所 | 发明（设计）人 | 闫常峰;甘源;王志达;郭常青;史言;谭弘毅;卢卓信 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种有序贵金属纳米颗粒阵列的颗粒间距控制方法 至一种有序贵金属纳米颗粒阵列的颗粒间距控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种有序贵金属纳米颗粒阵列的颗粒间距控制方法，包括如下步骤：(1)将载体以浸渍提拉的方式，通过分散有贵金属前驱体/双嵌段共聚物胶团的有机溶液植入初始的有序贵金属颗粒单层阵列；(2)在载有初始阵列的载体上按步骤(1)工艺进行若干次植入，最终得到满足目标颗粒间距的有序贵金属纳米颗粒阵列。本发明利用球状胶团在多次植入过程中的定位及分散机制，解决了单一双嵌段共聚物模板法无法实现的颗粒间距设计问题。依据本发明的发现与工艺明确了间距的可控范围，从而实现了各类单层贵金属纳米颗粒有序阵列的相邻颗粒中心距的精确设计与调节，为优化与颗粒间距或密度紧密相关的催化、光、电等性能提供材料制备方法和工艺。 |
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