| 专利名称 | 一种二氧化钒薄膜及其低温沉积方法 | 申请号 | CN201610738999.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107779820A | 公开（授权）日 | 2018.03.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 金平实;曹逊;孙光耀;李荣 | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二氧化钒薄膜及其低温沉积方法 至一种二氧化钒薄膜及其低温沉积方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种二氧化钒薄膜及其低温沉积方法，所述二氧化钒薄膜由通过磁控溅射技术依次形成在衬底上的缓冲层以及二氧化钒薄膜层构成，所述缓冲层为二氧化钒缺氧层，其中所述二氧化钒缺氧层的结构式为VOx，其中1.0≤x≤1.75。本发明使用的缓冲层（二氧化钒缺氧层（例如三氧化二钒层）），具有籽晶层与缓冲层的双重功能。以钒的三价氧化物三氧化二钒为例，三氧化二钒具有很宽的结晶温度区间，从室温到850℃均可自发结晶，这一性质为在三氧化二钒层上实现二氧化钒薄膜层的低温沉积奠定了基础。 |
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