| 专利名称 | 侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法 | 申请号 | CN201710913890.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107749393A | 公开（授权）日 | 2018.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘兴昉;申占伟;闫果果;温正欣;陈俊;王雷;赵万顺;张峰;孙国胜;曾一平 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法 至侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本公开提供了一种侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法，包括：利用第一石墨烯模板与硅源反应生成第一掺杂类型的第一碳化硅结构；在第一碳化硅结构的横向相邻部位，利用第二石墨烯模板与硅源反应生成第二掺杂类型的第二碳化硅结构；其中，第一石墨烯模板和第二石墨烯模板在同一平面的至少在部分区域上互补。本公开可以制备具有侧向pn结构的原子层厚度低维碳化硅半导体材料，且具有简便易行，容易推广等优点，具有较好的推广应用前景。 |
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