| 专利名称 | 一种强磁场下静电喷雾沉积薄膜制备系统 | 申请号 | CN201710918875.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107738392A | 公开（授权）日 | 2018.02.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 马小航;戴建明;白金;魏义永;朱雪斌;盛志高;孙玉平 | 主分类号 | B29C41/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B29C41/00(2006.01)I;B29C41/26(2006.01)I;B29C41/52(2006.01)I;B29C41/36(2006.01)I;B29C41/46(2006.01)I;B29L7/00(2006.01)N | 专利有效期 | 一种强磁场下静电喷雾沉积薄膜制备系统 至一种强磁场下静电喷雾沉积薄膜制备系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种强磁场下静电喷雾沉积薄膜制备系统，包括：筒状超导磁体、超导磁体电源、静电喷雾沉积腔、反应液输送装置和高压直流电源；超导磁体电源与筒状超导磁体电连接；静电喷雾沉积腔设于筒状超导磁体的圆筒内强磁场中；静电喷雾沉积腔为密封结构，并且其腔壁上设有隔热部件；静电喷雾沉积腔的内部设有沉积台和喷嘴；反应液输送装置的注液泵通过供液软管与喷嘴连通，用于将反应液注入喷嘴；高压直流电源通过供电导线与沉积台和喷嘴电连接，用于控制沉积台与喷嘴之间的电场。本发明不仅能够提高薄膜的沉积速率和膜面均匀性，而且可以实现在强磁场下进行薄膜原位生长和后退火处理，从而能够实现对所制备薄膜的微结构和性能进行有效调控。 |
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