| 专利名称 | 一种图形转移方法 | 申请号 | CN201710810998.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107665816A | 公开（授权）日 | 2018.02.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 符庭钊;王欢;崔绍晖;李超波;夏洋 | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 专利有效期 | 一种图形转移方法 至一种图形转移方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种图形转移方法，包括：通过光刻工艺沉积可溶解金属于氧化薄膜层的部分区域，以将掩模版上的目标图形转移至氧化薄膜层上的可溶解金属层；涂覆PMMA，以在氧化薄膜层上未被可溶解金属层覆盖的区域和覆盖氧化薄膜层上部分区域的可溶解金属层上均形成PMMA层；通过反应离子刻蚀，使可溶解金属层上的PMMA层被完全刻蚀以露出可溶解金属层，氧化薄膜层上未被可溶解金属层覆盖的区域上留有PMMA层；腐蚀去氧化薄膜层上的可溶解金属层，以将可溶解金属层上的目标图形转移至未被可溶解金属层覆盖的区域的PMMA层；将带有目标图形的PMMA层从氧化薄膜层上剥离。本发明解决了现有技术中在半导体小加工面或者非平整加工区域加工难度大的技术问题。 |
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