| 专利名称 | 一种石墨烯?硒化铌超导异质结器件及其制备方法 | 申请号 | CN201710890518.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107634089A | 公开（授权）日 | 2018.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;谢红;王慧山;王秀君;陈令修;贺立;谢晓明 | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L39/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯?硒化铌超导异质结器件及其制备方法 至一种石墨烯?硒化铌超导异质结器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种石墨烯?硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯?硒化铌平面超导异质结。本发明通过化学气相沉积法外延生长石墨烯?硒化铌平面异质结，该方法不易引入杂质、工艺简单、所获得的产物尺寸易控制、产率高、成本低。可满足工业化和规模化生产要求。 |
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