| 专利名称 | 检测氰化氢气体的氢氧化铜修饰的石英晶体微天平传感器及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201610565046.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107632065A | 公开（授权）日 | 2018.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 贺军辉;杨明庆 | 主分类号 | G01N29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N29/02(2006.01)I;G01N29/036(2006.01)I;G01N5/02(2006.01)I | 专利有效期 | 检测氰化氢气体的氢氧化铜修饰的石英晶体微天平传感器及其制备方法和应用 至检测氰化氢气体的氢氧化铜修饰的石英晶体微天平传感器及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种检测氰化氢气体的氢氧化铜修饰的石英晶体微天平传感器及其制备方法和应用。所述石英晶体微天平传感器是在石英晶体微天平晶振的电极表面修饰有氢氧化铜纳米材料。本发明采用氢氧化铜纳米材料(Cu(OH)2)分别对石英晶体微天平(QCM)晶振的电极的两个表面进行修饰，得到氢氧化铜修饰的石英晶体微天平晶振，从而得到对氰化氢有着响应信号的石英晶体微天平传感器。所述传感器能够在5～50摄氏度温度范围下对氰化氢气体具有灵敏响应信号，同时对不同浓度的氰化氢气体有着良好的线性响应关系。 |
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