| 专利名称 | 掺杂钛酸钡的有机金属卤化物钙钛矿薄膜制备方法 | 申请号 | CN201710195141.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107591481A | 公开（授权）日 | 2018.01.16 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;石家庄铁道大学 | 发明（设计）人 | 赵晋津;贾春媚;欧云;谢淑红;魏丽玉;刘正浩 | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 专利有效期 | 掺杂钛酸钡的有机金属卤化物钙钛矿薄膜制备方法 至掺杂钛酸钡的有机金属卤化物钙钛矿薄膜制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种掺杂钛酸钡的有机金属卤化物钙钛矿薄膜材料制备方法，属于半导体光电材料和杂化钙钛矿太阳能电池制备领域。采用掺杂的方法把钛酸钡材料加入到钙钛矿材料当中，使其均匀的分散到钙钛矿溶液当中，然后采用旋涂的方法在介孔二氧化钛薄膜上旋涂含有钛酸钡的钙钛矿层，作为太阳能电池的光吸收层材料，本发明通过掺杂改善钙钛矿铁电极性的方法，把具有铁电性的钛酸钡材料加入到钙钛矿层当中，来改善钙钛矿太阳能电池发生光电效应时内部的电场极化状况，提高钙钛矿太阳能电池的稳定性和光电转换效率。 |
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