| 专利名称 | 一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法 | 申请号 | CN201710847497.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107591336A | 公开（授权）日 | 2018.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 马名生;林琳;刘志甫;李永祥 | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法 至一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明的低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法，具备如下步骤：将LTCC生瓷带切割成LTCC生瓷片，然后将切割好的多片LTCC生瓷片依次进行第一阶段叠层，从而分别形成上层盖板、子层板和下层板；将子层板与下层板进行第二阶段叠层，从而形成合层板；将上层盖板和合层板进行第三阶段叠层，从而形成带有空腔结构的LTCC巴块；对LTCC巴块进行切割后得到LTCC基板素坯，然后将LTCC基板素坯进行烧结；第三阶段叠层的工艺中的叠层压力、温度和时间均小于第一和第二阶段叠层的工艺中的参数。根据本发明，极大降低了带有空腔结构的低温共烧陶瓷基板的制造成本，有利于低温共烧陶瓷基板空腔结构的批量化生产。 |
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