| 专利名称 | 钙钛矿型镧钛氮氧化物半导体光催化剂及其制备和应用 | 申请号 | CN201610537120.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107583661A | 公开（授权）日 | 2018.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨明辉;熊锋强;万里鹏;李悦;焦雨桐 | 主分类号 | B01J27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J27/24(2006.01)I;C01B13/02(2006.01)I | 专利有效期 | 钙钛矿型镧钛氮氧化物半导体光催化剂及其制备和应用 至钙钛矿型镧钛氮氧化物半导体光催化剂及其制备和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 以La2TiO5作为单一前驱体，在高温氨气氛下进行热氨解氮化，制备吸收带边为600nm左右的无EPR和UV?Vis?NIR光谱可探测的缺陷的LaTiO2N半导体，惰性气氛退火处理，得到缺陷浓度可调变的LaTiO2N，提高LaTiO2N光催化活性。或者以La2Ti2O7作为单一前驱体，在高温氨气氛下进行热氨解氮化，制备具有缺陷的LaTiO2N半导体，惰性气氛退火处理进一步增加缺陷浓度，提高LaTiO2N光催化活性。本方法中，La2TiO5作为前驱体能够有效抑制高温氮化过程中Ti的还原，抑制低价Ti缺陷或杂相的形成，为缺陷浓度调控提供全范围基础；采用简单的惰性气氛退火处理形成阴离子空位缺陷，通过改变退火参数方便地调变缺陷浓度，实现光催化活性优化。 |
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