| 专利名称 | 一种半导体芯片结构 | 申请号 | CN201710894889.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107565377A | 公开（授权）日 | 2018.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 张建伟;宁永强;张星;曾玉刚;秦莉;王立军 | 主分类号 | H01S5/024(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/024(2006.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 专利有效期 | 一种半导体芯片结构 至一种半导体芯片结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体芯片结构，半导体芯片结构包括半导体器件结构区和珀尔帖致冷结构区，且半导体器件结构区的器件侧第一半导体层和珀尔帖致冷结构区的致冷侧第一半导体层共用同一半导体层，进而通过珀尔帖致冷结构区对半导体器件结构区的工作结构直接散热，降低半导体器件结构区内部热积累效应，提高半导体芯片结构的工作性能。 |
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