| 专利名称 | 热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件 | 申请号 | CN201710794394.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107564783A | 公开（授权）日 | 2018.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 阴生毅;卢志鹏;张永清;张兆传;任峰 | 主分类号 | H01J1/142(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/142(2006.01)I;H01J1/144(2006.01)I;H01J1/20(2006.01)I;H01J9/04(2006.01)I | 专利有效期 | 热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件 至热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件，其中热场发射阴极包括钼筒及固定于其上的钨海绵体，其中：钨海绵体的上表面具有微尖阵列，该微尖阵列内部具有孔隙；钨海绵体内部的孔隙与微尖阵列内部的孔隙形成连通孔隙；连通孔隙内填充有活性物质。由于在钨海绵体表面形成有微尖阵列，且构成从钨海绵体直达微尖阵列内部孔隙的连通孔隙，该连通孔隙填有活性物质，从而在热扩散作用下，该活性物质可达到微尖阵列顶部，为实现低功函数的发射提供了条件，因此本发明的热场发射阴极的发射性能相较于传统的热发射阴极，工作温度及功耗大幅降低；相较于传统的场发射阴极，发射电流密度更高，且具有较强的抗打火能力。 |
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