| 专利名称 | SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法 | 申请号 | CN201710737098.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107527803A | 公开（授权）日 | 2017.12.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;王谦;郑理;沈玲燕;张栋梁;顾子悦;钱茹;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 专利有效期 | SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法 至SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法，栅介质层的制备方法包括：提供一SiC基材，并将SiC基材置于ALD反应腔室中；将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度；采用ALD工艺于SiC基材表面形成栅介质层。通过上述技术方案，本发明的栅介质层在生长过程中，未消耗SiC外延片中的Si原子从而避免了栅介质薄膜与SiC界面处C族聚集的现象，提高了界面特性；本发明利用ALD技术形成栅介质层，热预算低，简化器件制备工艺过程；本发明的利用ALD技术形成的栅介质层临界击穿强度高，漏电小，具有较高的介电常数，可大幅降低引入栅介质薄膜中的电场强度，避免栅介质击穿。 |
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