一种利用光伏产业废硅渣制备纳米硅负极材料的方法

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专利名称 一种利用光伏产业废硅渣制备纳米硅负极材料的方法 申请号 CN201810864870.1 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN109037665A 公开(授权)日 2018.12.18 申请(专利权)人 郑州中科新兴产业技术研究院;中国科学院过程工程研究所 发明(设计)人 刘艳侠;秦利娟;刘凡;张若涛;刘福园;张锁江;阮晶晶 主分类号 H01M4/38(2006.01)I IPC主分类号 H01M4/38(2006.01)I 专利有效期 一种利用光伏产业废硅渣制备纳米硅负极材料的方法 至一种利用光伏产业废硅渣制备纳米硅负极材料的方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种利用光伏产业废硅渣制备纳米硅负极材料的方法,该方法包括以下步骤:将收集的废硅渣粉碎得到废硅粉;通过对废硅粉进行酸洗、水洗、干燥,实现一次纯化;将一次纯化后的废硅粉粉碎至2?mm以下,并将其置于惰性气氛中进行煅烧,实现二次纯化;随后,经过粗粉和细粉处理,获得纳米硅悬浮液;将该纳米硅悬浮液进行喷雾干燥,可获得纳米硅负极材料。该方法简单易行、成本低廉、可工业化应用,能实现大量硅废料的资源化利用。所获得的纳米硅负极材料,不但首次放电容量高达3305?mAh/g,且库伦效率也达88.5%,优于市场上一般的纳米硅负极材料。

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