| 专利名称 | 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201810727123.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108899379A | 公开（授权）日 | 2018.11.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 | 发明（设计）人 | 蒋志;牛智川;徐应强;王国伟;蒋洞微;孙姚耀;郭春妍;贾庆轩;常发冉 | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法 至基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于锑化物的可见光?中红外探测器及其制备方法，所述可见光?中红外探测器的各功能层从衬底沿外延生长方向依次是：衬底、缓冲层、中波通道欧姆接触层、中波通道吸收层、两个隧穿层、可见光通道吸收层、可见光通道欧姆接触层以及盖层。本发明的基于锑化物的可见光?中红外探测器具有双吸收层结构，具有可见光波段响应高、结构简单、制备工艺简便的优势，满足了可见?红外宽光谱探测器对可见光高响应的性能需求，为实现高性能的锑化物器件从可见光至中波红外宽光谱探测奠定了基础。 |
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