| 专利名称 | 一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法 | 申请号 | CN201810497411.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108754525A | 公开（授权）日 | 2018.11.06 | 申请（专利权）人 | 河北工业大学;中国科学院半导体研究所;邯郸学院 | 发明（设计）人 | 王雅琨;刘明生;王智杰;曲胜春;刘孔;刘俊;李燕 | 主分类号 | C25B1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C25B1/02(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I;C25B11/08(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法 至一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法，所述光电极包括导电基底、锆钛酸铅薄膜以及二者之间的金膜，该电极在1.0V(vs.Ag/AgCl)的电压条件下光电流密度可达200μA/cm2。其制备方法为：将基底清洗后蒸镀金膜，在金膜上旋涂锆钛酸铅膜，经退火、煅烧和封装即得所述电极，制备工艺简单，成本低，所得的薄膜均匀性好，具有良好的可见光吸收性能，且稳定性和光电转换效率较之前的工艺也有明显提高。 |
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