| 专利名称 | 通过单步形变热处理提高铁镍基合金中低能晶界比例方法 | 申请号 | CN201810879856.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108660380A | 公开（授权）日 | 2018.10.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 赵明久;胡红磊;戎利建 | 主分类号 | C22C38/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C38/02(2006.01)I;C22C38/06(2006.01)I;C22C38/44(2006.01)I;C22C38/50(2006.01)I;C22C38/54(2006.01)I;C21D8/02(2006.01)I;C21D6/00(2006.01)I;C21D1/18(2006.01)I | 专利有效期 | 通过单步形变热处理提高铁镍基合金中低能晶界比例方法 至通过单步形变热处理提高铁镍基合金中低能晶界比例方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及铁镍基合金领域，具体地说是通过单步形变热处理提高铁镍基合金中低能晶界比例的方法。采用单步形变热处理方法，提高低能晶界比例，具体为：高温固溶处理→冷轧变形→保温→水冷→时效处理的工艺路线，该方法具有工艺简单、无需反复冷轧变形和易于实现的优点。本发明处理的铁镍基合金，低能晶界比例不低于60～85％，其中∑3晶界的比例不低于50％。本发明处理的铁镍基合金，可形成较强的低能晶界网络、打断大角度随机晶界的连通性，有望显著提高铁镍基合金的抗高温蠕变断裂和耐氢致沿晶开裂能力，具有广泛的应用前景。 |
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