| 专利名称 | 一种二维材料正入射菲涅尔光学表征方法 | 申请号 | CN201810437661.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108646321A | 公开（授权）日 | 2018.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 王孝东;陈波 | 主分类号 | G02B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B1/00(2006.01)I;G02B27/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二维材料正入射菲涅尔光学表征方法 至一种二维材料正入射菲涅尔光学表征方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供的二维材料正入射菲涅尔光学表征方法，采用传统的光学薄膜基本理论?传导矩阵方法，引入光学导纳概念，推导无支撑和有基底二维材料在正入射条件下吸收、反射率、透过率的简单计算公式，推导过程简单，有利于二维材料在光电领域的应用。 |
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