| 专利名称 | 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法 | 申请号 | CN201810369450.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108631149A | 公开（授权）日 | 2018.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 | 发明（设计）人 | 李媛媛;梁平;胡颖;刘俊岐;翟慎强;张锦川;卓宁;王利军;刘舒曼;刘峰奇;王占国 | 主分类号 | H01S5/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/02(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 专利有效期 | 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法 至一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法，该方法包括外延片和高掺衬底片晶向对准工艺，低温金属键合工艺、半绝缘衬底腐蚀工艺等，最终成功将生长在半绝缘衬底片上的外延结构层转移到另一个高掺杂的衬底片上。本发明的方法可以保证两个键合片之间的晶向一致性，防止激光器在解理过程中由晶向各异性带来的机械损伤；并且可以防止由于腐蚀液选择性不够带来的腐蚀不均匀及过腐蚀的问题，保证腐蚀的均匀性及完整性。本发明的方法符合标准半导体工艺流程，操作简便高效，适于工业化量产。 |
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