| 专利名称 | 一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201710106167.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108511595A | 公开（授权）日 | 2018.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 靳常青;赵国强;林朝镜;李永庆;邓正 | 主分类号 | H01L39/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L39/12(2006.01)I;H01L39/22(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I;H01F1/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用 至一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明提供一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用，所述安德烈夫反射结包括铁磁半导体材料(Ba,K)(Zn,Mn)2As2的单晶片，以及分别沉积在所述单晶片两个表面上的普通金属层和超导材料层。所述铁磁半导体材料的化学式为(Ba1?xKx)(Zn1?yMny)2As2，0 |
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