| 专利名称 | 光栅及其制备方法 | 申请号 | CN201810169872.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108469644A | 公开（授权）日 | 2018.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 王雨婷;伊福廷;王波;周悦;张天冲;刘静 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | 专利有效期 | 光栅及其制备方法 至光栅及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种光栅及其制备方法，其中，该方法包括：对第一衬底进行第一处理，得到带有预定结构的第一金制图形，进而得到中间掩膜板；在第二衬底上制备纳米柱阵列，并采用该中间掩膜板对所述纳米柱阵列进行第二处理，得到带有预定结构的第二金制图形，进而得到最终掩膜板；以及采用所述最终掩膜板对PMMA片进行第三处理，得到正弦型位相光栅。本发明的制备方法简单，且能够制备得到表面形貌较为复杂的光栅。 |
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