专利名称 | 一种红外探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201611161550.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN108231923A | 公开(授权)日 | 2018.06.29 | 申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 黄勇;熊敏;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 专利有效期 | 一种红外探测器及其制备方法 至一种红外探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种红外探测器,从下至上依次包括:GaSb衬底、n型InAsSb吸收层、AlAsSb势垒层、n型超晶格收集层以及二维光栅;还包括设置在所述n型InAsSb吸收层上端面的下电极,以及设置于所述n型超晶格收集层上端面的上电极。本发明还提供这种红外探测器的制备方法。本发明提供的锑化物红外探测器具有超薄的吸收层和表面光栅结构,在降低探测器暗电流的同时保证了探测器的量子效率,能有效提高器件的工作温度。 |
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