一种红外探测器及其制备方法

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专利名称 一种红外探测器及其制备方法 申请号 CN201611161550.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN108231923A 公开(授权)日 2018.06.29 申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 黄勇;熊敏;杨辉 主分类号 H01L31/0304(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I 专利有效期 一种红外探测器及其制备方法 至一种红外探测器及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种红外探测器,从下至上依次包括:GaSb衬底、n型InAsSb吸收层、AlAsSb势垒层、n型超晶格收集层以及二维光栅;还包括设置在所述n型InAsSb吸收层上端面的下电极,以及设置于所述n型超晶格收集层上端面的上电极。本发明还提供这种红外探测器的制备方法。本发明提供的锑化物红外探测器具有超薄的吸收层和表面光栅结构,在降低探测器暗电流的同时保证了探测器的量子效率,能有效提高器件的工作温度。

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