| 专利名称 | 一种透明导电薄膜及采用晶界印刷法制备该薄膜的方法 | 申请号 | CN201710491081.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108206070A | 公开（授权）日 | 2018.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 林智杰;林锦新 | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B5/14(2006.01)I;H01B1/08(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种透明导电薄膜及采用晶界印刷法制备该薄膜的方法 至一种透明导电薄膜及采用晶界印刷法制备该薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种透明导电薄膜及采用晶界印刷法制备该薄膜的方法，所述导电薄膜包括透明基底和覆盖其上的透明氧化物层，以及在所述透明氧化物层上的晶界处形成的金属网格；所述透明导电薄膜兼具氧化物透明导电薄膜和金属网格透明导电薄膜的优势，具有可挠曲、导电率高、透过率高和制备工艺简单等优势，所述透明导电薄膜的方阻为0.1～200Ω/sq，所述透明导电薄膜的透过率为20?80％。本发明的制备方法采用晶界印刷法在透明氧化物层的晶界处形成金属网格，制备工艺简单，工艺环保，原料利用率高。 |
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