| 专利名称 | 用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜及其制备方法 | 申请号 | CN201711455501.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108183137A | 公开（授权）日 | 2018.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王光红;王文静;赵雷;刁宏伟 | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜及其制备方法 至用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
一种用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜，由一层折射率为1.8～2.1的常规氢铪共掺氧化铟薄膜及一层折射率为1.4～1.6的纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜组成。常规氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在太阳电池迎光面的掺杂层上，纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在常规氢铪共掺氧化铟薄膜上。采用 |
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