| 专利名称 | 基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法 | 申请号 | CN201610818729.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107819046A | 公开（授权）日 | 2018.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 姜辛;刘宝丹;张兴来;刘青云;贾文博;刘鲁生 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法 至基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于光电探测器领域，特别是指一种基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及其制备方法。该探测器自下而上依次为Si衬底、SiO2绝缘层，绝缘层上的单根孪晶结构GaN纳米线，覆盖在单根孪晶结构GaN纳米线两端的金属电极。本发明中孪晶结构GaN纳米线具有很高的比表面积，并且孪晶结构可以有效实现光生载流子的分离以及快速输运，具有很高的光响应度、外量子效率和光电流增益。更重要的是，该紫外探测器对UV?A波段的紫外光有着非常高的选择性。器件制作工艺简单、成本低、灵敏度高、性能稳定。 |
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