| 专利名称 | 双盘光学回音壁模式铌酸锂微腔及其制备方法 | 申请号 | CN201710960370.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107748402A | 公开（授权）日 | 2018.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 程亚;方致伟;卢涛;林锦添;汪旻;乔玲玲 | 主分类号 | G02B5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/00(2006.01)I;G02F1/01(2006.01)I | 专利有效期 | 双盘光学回音壁模式铌酸锂微腔及其制备方法 至双盘光学回音壁模式铌酸锂微腔及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种双盘光学回音壁模式铌酸锂微腔，该微腔自上而下依次是第一铌酸锂圆盘、二氧化硅薄盘、第二铌酸锂圆盘、二氧化硅支柱和铌酸锂基底，及其制备方法，包括制备五层薄膜、加工柱状结构和化学腐蚀步骤。本发明双盘光学回音壁模式铌酸锂微腔具有极高的表面光洁度、小的模式体积与高的品质因子(实测105，理论值可达107)。 |
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