| 专利名称 | 具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201710976639.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107742604A | 公开（授权）日 | 2018.02.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王光红;王文静;赵雷;莫丽玢;刁宏伟 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法 至具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法。以二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶为靶材，单晶硅作为衬底，纯度99.99％以上的高纯氩气(Ar)作为溅射气体，溅射过程中通入氢气(H2)作为掺杂源沉积，得到不同磁化特征的氢铪共掺杂氧化铟薄膜。 |
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