| 专利名称 | 一种基于等离子体浸没注入技术制备黑磷二维材料的方法 | 申请号 | CN201710728776.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107622949A | 公开（授权）日 | 2018.01.23 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 江敏;李婉;喻学锋 | 主分类号 | H01L21/383(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/383(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于等离子体浸没注入技术制备黑磷二维材料的方法 至一种基于等离子体浸没注入技术制备黑磷二维材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于等离子体浸没注入技术制备黑磷二维材料的方法，利用等离子体浸没注入系统产生的氢等离子对黑磷晶体材料产生刻蚀作用，从而获取到层数可控的黑磷二维材料；然后再利用乙炔等离子体对黑磷二维材料进行沉积/掺杂处理，提高了黑磷二维材料在常温、空气环境下的稳定性；该方法不仅提高了黑磷二维材料的整体质量，同时也简化制备的工艺，实现从黑磷晶体到稳定黑磷二维材料的一体化制备流程。 |
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