| 专利名称 | 一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法 | 申请号 | CN201610338812.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107400920A | 公开（授权）日 | 2017.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张思敏;夏洋;卢维尔;程嵩;李楠 | 主分类号 | C30B25/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法 至一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法，属于半导体技术领域，本发明实施例通过将清洗好的衬底放入反应腔室中；开启罗茨泵和前级泵，并在抽真空的同时对样品盘、载气通道和腔室壁进行加热，在加热的过程中吹载气；当所述腔室壁的温度达到第一预定温度时，关闭载气，并开启分子泵；当所述腔室壁的温度达到第二预定温度时，关闭所述分子泵，并打开载气；当所述样品盘温度在第一温度范围内变化，且，所述载气通道和所述腔室壁在第二温度范围内变化时，开始后续沉积工艺的技术手段，实现了较好制备单晶氧化锌薄膜的技术效果。 |
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