| 专利名称 | 铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法 | 申请号 | CN201610217456.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107268084A | 公开（授权）日 | 2017.10.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 朱秀;许桂生;刘锦峰;田彦锋 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法 至铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及铌酸钾钠?锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法，所述铌酸钾钠?锆酸铋钠无铅压电单晶的化学式为(1?y)(KxNa1?x)NbO3?y(Bi0.5Na0.5)ZrO3，其中0.4≤x≤0.6,0≤y≤0.1。本发明中，将原料与生长助剂混合预烧，并采用坩埚下降法生长得到铌酸钾钠?锆酸铋钠无铅压电单晶，通过添加生长助剂后的坩埚下降法生长晶体具有容易成核，晶体尺寸较大(2～20mm)且裂纹较少等优点。 |
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