| 专利名称 | 一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法 | 申请号 | CN201710309424.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107240544A | 公开（授权）日 | 2017.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 梁凌燕;吴卫华;曹鸿涛;肖鹏;宋安然;梁玉;余静静;陈涛 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/445(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法 至一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种薄膜的图案化制备方法，该方法通过模板与衬底构筑微通道，利用薄膜前驱液液滴对基片的浸润作用产生的驱动力使液滴在微通道内移动而实现薄膜的图形化。本方法简便可行，适应范围广，可用于实现各类薄膜前驱液溶液或者悬浮液的图案定制。本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，所述的薄膜晶体管的半导体沟道层、绝缘栅介质层、源漏电极层以及栅电极层中的任一层采用上述薄膜的图案化制备方法制备。本发明还公开了一种忆阻器的制备方法，所述的忆阻器的底电极层，阻变层和顶电极层中的任一层采用上述薄膜的图案化制备方法制备。 |
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