一种增透与抗原子氧剥蚀的聚合物复合薄膜及其制备方法

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专利名称 一种增透与抗原子氧剥蚀的聚合物复合薄膜及其制备方法 申请号 CN201710270946.3 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN107201034A 公开(授权)日 2017.09.26 申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 宋伟杰;张景;张贤鹏;鲁越晖;艾玲;李啸 主分类号 C08L79/08(2006.01)I IPC主分类号 C08L79/08(2006.01)I;C08L33/12(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08L69/00(2006.01)I;C08L67/02(2006.01)I;C08L61/16(2006.01)I;C08K9/10(2006.01)I;C08K7/26(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08J7/04(2006.01)I;C08J7/06(2006.01)I 专利有效期 一种增透与抗原子氧剥蚀的聚合物复合薄膜及其制备方法 至一种增透与抗原子氧剥蚀的聚合物复合薄膜及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种增透与抗原子氧剥蚀的聚合物复合薄膜,所述聚合物复合薄膜包括聚合物薄膜层和镶嵌有空心SiO2纳米粒子的有机无机复合层,通过在所述聚合物薄膜层的至少一面均匀镶嵌空心SiO2纳米粒子,在聚合物薄膜层表面形成所述镶嵌有空心SiO2纳米粒子的有机无机复合层。还公开了所述聚合物复合薄膜的制备方法,包括:依次在刚性基材上制备空心SiO2纳米粒子层和聚合物薄膜层,固化后剥离刚性基材,得到单面镶嵌空心SiO2纳米粒子的聚合物复合薄膜,在单面镶嵌空心SiO2纳米粒子的聚合物复合薄膜的基础上可进一步制备双面镶嵌空心SiO2纳米粒子的聚合物复合薄膜。所得聚合物复合薄膜能同时实现增透与抗原子氧剥蚀的性能,制备操作简单。

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