| 专利名称 | 偏硼酸锂晶体的制备方法和用途 | 申请号 | CN201510982616.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106917139A | 公开（授权）日 | 2017.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;陈幸龙;张方方;侯雪玲 | 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;G02B1/08(2006.01)I | 专利有效期 | 偏硼酸锂晶体的制备方法和用途 至偏硼酸锂晶体的制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种偏硼酸锂晶体的制备方法和用途，该方法所述的晶体化学式为LiBO2，分子量为49.75，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为a=5.85(8)?，b=4.35(7)?，c=6.46(6)?,β?=115.1(5)°,Z=4；采用熔体法或助熔剂法生长晶体；通过本发明所述方法获得的偏硼酸锂晶体易于生长、易于加工，用于红外-可见-深紫外波段，可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜和光隔离器、环形器、光束位移器等光学元件，在光学和通讯领域有重要应用。 |
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