| 专利名称 | 2，6-二（2-萘基）蒽在制备场效应晶体管中的应用 | 申请号 | CN201710354681.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108878651A | 公开（授权）日 | 2018.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 胡文平;李洁;甄永刚;刘洁;董焕丽;江浪 | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | 2，6-二（2-萘基）蒽在制备场效应晶体管中的应用 至2，6-二（2-萘基）蒽在制备场效应晶体管中的应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了2，6?二(2?萘基)蒽的新用途。本发明所提供的2，6?二(2?萘基)蒽的新用途是其作为有机半导体材料在制备有机场效应晶体管和/或有机发光场效应晶体管中的应用。以式I所示的蒽类衍生物作为半导体层材料，分别制备了基于其薄膜和单晶的场效应晶体管。上述器件显示了典型的P型电荷传输性能。其具有较高的迁移率，单晶器件迁移率最高可达12.3cm2·V?1·s?1；具有较低的阈值电压，大约为?10V；具有较高的开关比，高达107～108。 |
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