| 专利名称 | 一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法 | 申请号 | CN201710174961.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108627865A | 公开（授权）日 | 2018.10.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院国家空间科学中心 | 发明（设计）人 | 张斌全;孙莹;张鑫;常峥;张珅毅;荆涛;梁金宝;孙越强 | 主分类号 | G01T1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01T1/02(2006.01)I;G01T7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法 至一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法，该方法通过空间辐射剂量仪在轨实测的RADFET传感器阈值电压数据和环境温度数据，得到该传感器的阈值电压与温度变化之间的关系曲线，从而去除RADFET温度效应给空间辐射剂量探测带来的影响，计算出各时刻RADFET传感器仅受空间辐射影响所引起的阈值电压，并最终由定标曲线得到空间辐射的累积剂量，本发明的方法不需要进行传感器的地面温度试验，避免了不同传感器温度效应差别所带来的影响，该方法能够简单有效地修正RADFET传感器阈值电压。 |
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