| 专利名称 | 一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器 | 申请号 | CN201810090438.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108400172A | 公开（授权）日 | 2018.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 于一榛;何玮;曹高奇;邓双燕;杨波;邵秀梅;李雪;龚海梅 | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/105(2006.01)I | 专利有效期 | 一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器 至一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器，从上至下其结构依次为：亚波长结构的聚合物和纳米材料、InP缓冲层、InGaAs吸收层、InP帽层、SiO2介质层、光敏芯片铟柱、读出电路铟柱、读出电路。本发明的优点为：第一，通过集成高折射率的亚波长材料，能够进一步提升传统可见拓展InGaAs器件的量子效率；第二，相比传统增透膜材料，基于亚波长结构的聚合物和纳米材料具有高度的材料和结构调控性，此外具备高生产效率和更低的生产成本；第三，该亚波长结构能够降低探测系统复杂度及尺寸，并与探测器实现工艺兼容。 |
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