| 专利名称 | 一种电子器件的制作方法 | 申请号 | CN201611257316.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108269914A | 公开（授权）日 | 2018.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈垒;吴晓蕾;王镇 | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电子器件的制作方法 至一种电子器件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种电子器件的制作方法，包括如下步骤：制作第一材料层，并同步形成第一对准标记；制作第二材料层，并同步形成第二对准标记；所述第一、第二对准标记共同组成复合标记；制作第三材料层，其中，所述第三材料层的图案采用电子束曝光定义，所述电子束曝光采用所述复合标记作为套刻对准标记。本发明中，电子束曝光采用复合标记作为套刻对准标记，所述复合标记中，第一、第二对准标记分别与第一、第二材料层同步制作，如果光刻工艺误差使第一材料层图案与第二材料层图案发生偏移，这个偏移情况也会存在于两层结合的复合标记上，利用这个带有偏移信息的复合标记，就能精确地定位第三材料层的位置，从而刻画定位精确的第三材料层图案。 |
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