| 专利名称 | 非制冷型红外光探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201711195401.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107968135A | 公开（授权）日 | 2018.04.27 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 单成伟;冯叶;杨春雷 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 专利有效期 | 非制冷型红外光探测器及其制备方法 至非制冷型红外光探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非制冷型红外光探测器的制备方法，其特征在于，包括提供一衬底；在所述衬底上制作形成第一电极层；在所述第一电极层上制作形成吸收层；在所述吸收层上制作形成缓冲层；在所述缓冲层上制作形成透明电极层；在所述透明电极层上制作形成第二电极层，所述吸收层的材料为ⅠB?ⅡB?ⅣA?ⅥA掺杂P型材料，所述缓冲层的材料为N型半导体材料。本发明实施例公开了一种非制冷型红外光探测器的制备方法，其工艺简单，所需的设备较简单，可大面积生产，制作成本低，可实现民用化，另外采用ⅠB?ⅡB?ⅣA?ⅥA掺杂P型材料来制作吸收层，可扩展红外吸收的波长。 |
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