| 专利名称 | 一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法 | 申请号 | CN201710776706.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107622940A | 公开（授权）日 | 2018.01.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 施长治 | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/033(2006.01)I | 专利有效期 | 一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法 至一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法。所述的多层掩膜为一种具有翼缘式横截面的光致抗蚀剂多层掩膜。该掩膜的制作工艺在注入阻挡层上制备一层牺牲过渡层介质膜，然后在该过渡介质膜上制作图形化的光致抗蚀剂掩膜。采用湿法腐蚀或湿法腐蚀辅助的等离子体干法刻蚀，以光致抗蚀剂图形为掩膜，腐蚀牺牲过渡层，通过控制腐蚀速率和时间，使牺牲过渡层图形边缘相对于光致抗蚀剂掩膜缩进固定宽度，制备出具有翼缘式侧壁结构的三层复合掩膜。本发明的复合掩膜可以避免高能离子轰击下光致抗蚀剂掩膜边缘变性所导致的去胶困难，常规的去胶液浸泡即可完全去除光致抗蚀剂掩膜，避免了擦拭芯片表面带来的机械损伤，提高了芯片的表面质量。 |
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