| 专利名称 | 一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法 | 申请号 | CN201610473416.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107545082A | 公开（授权）日 | 2018.01.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院沈阳自动化研究所 | 发明（设计）人 | 赵怀慈;李波;刘明第;孙士洁;吕进锋 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法 至一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及计算机仿真领域，具体的说是一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法。本发明包括以下步骤：确定场景中与辐射相关的参数；根据目标自身表面温度计算目标的自身辐射；根据太阳参数和目标表面反射率计算目标对太阳辐射的反射；计算目标对相邻建筑自身辐射的反射；计算目标对相邻建筑对太阳辐射的反射：依据太阳参数和大气环境参数计算目标的辐射影响。本发明能够有效地处理高光谱仿真中相邻物体对于目标的辐射影响，提高了仿真逼真度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障