| 专利名称 | 一种耐高温电容层析成像传感器 | 申请号 | CN201510967356.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106896143A | 公开（授权）日 | 2017.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 叶茂;郭强;孟霜鹤;张涛;刘中民 | 主分类号 | G01N27/22(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种耐高温电容层析成像传感器 至一种耐高温电容层析成像传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种应用于室温至600℃高温环境下的耐高温电容层析成像传感器。所述传感器包括阵列分布电极、轴端屏蔽电极、绝缘隔离层、轴端屏蔽电极连接层、固定层、屏蔽罩和信号传输线，其中阵列分布电极通过腐蚀镂空的工艺制作而成，并由测量端和固定端组成，分别用来测量电容和包裹固定电极测量端与传输电缆，且测量端通过耐高温绝缘胶整体定位套粘在耐高温绝缘管道的外壁；信号传输线包括高温段和常温段，均为由缆芯、绝缘层和屏蔽丝网组成的双屏蔽线；轴端屏蔽电极连接层与轴端屏蔽电极直接接触，并与屏蔽罩连接。本发明的传感器可以在室温至600℃高温环境下正常使用，有效拓宽了电容层析成像技术在高温热态领域的应用范围。 |
1、源头对接，价格透明
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